Các nhà nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán ở Thượng Hải (Trung Quốc, ảnh) chế tạo thành công một thiết bị bộ nhớ mang tính đột phá mang tên PoX, có khả năng lưu trữ dữ liệu với tốc độ 1 bit trong 400 pico giây. Đây được xem là thiết bị lưu trữ bán dẫn nhanh nhất từng được công bố.
Thiết bị lưu trữ có kích thước chưa bằng hạt gạo đã phá vỡ rào cản tốc độ từng được cho là không thể, nhờ khả năng xóa và ghi lại dữ liệu nhanh hơn 100.000 lần so với mặt bằng chung bộ nhớ flash hiện nay.
Thiết bị lưu trữ có kích thước nhỏ hơn hạt gạo này phá vỡ giới hạn tốc độ tưởng chừng không thể, với khả năng xóa và ghi lại dữ liệu nhanh hơn 100.000 lần trước đây.
Các nhà nghiên cứu Trung Quốc đã phát triển bộ nhớ flash sử dụng graphene Dirac hai chiều với một cơ chế hoàn toàn mới, phá vỡ giới hạn tốc độ của lưu trữ và truy cập thông tin bộ nhớ điện tĩnh.
Các nhà nghiên cứu Trung Quốc đã phát triển bộ nhớ flash sử dụng graphene Dirac hai chiều với một cơ chế hoàn toàn mới, phá vỡ giới hạn tốc độ của lưu trữ và truy cập thông tin bộ nhớ điện tĩnh.
Một nhóm nghiên cứu Trung Quốc vừa chế tạo thành công một thiết bị bộ nhớ flash mang tính đột phá mang tên PoX, có khả năng lưu trữ dữ liệu với tốc độ 1 bit trong 400 pico giây.